BeMgZnSe系ヘテロ構造を用いた紫外線光デバイスの基礎研究

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弗化物系超へテロ構造による
サブバンド間遷移レーザの基礎研究

サブバンド間遷移レーザ(量子カスケードレーザ) 　当研究室ではSi基盤上にCaF2及びCdF2を数nm程度の厚さに積層する技術を有している。量子薄膜構造において量子井戸内に形成されるサブバンドと呼ばれる、量子準位の間で電子が遷移を起こすことによる発光素子である。従来の素子が電子と正孔の再結合により発光するのとは大きく異なる、電子のみによる発光デバイスである。
　この素子の利点は、量子井戸の膜厚により、量子準位のエネルギー差を制御している、すなわち同一材料で自由度の高い発光波長の設計が可能であるということがあげられる。同様に発光波長が自由に設計される量子薄膜レーザに対しても、通常のレーザが伝導帯と価電子帯の間で遷移して発光しているのに対して、こちらは伝導帯中のサブバンド間遷移である。

ご質問等ございましたら、watanabe@pe.titech.ac.jpまでご連絡ください。