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BeMgZnSe系ヘテロ構造を用いた
紫外線光デバイスの基礎研究
IT時代に要求される情報記録の大容量化や
医療・環境・バイオ分野等における先端光化学プロセス開発に向けて，
近年，紫外線領域の短波長半導体レーザが強く求められるようになっている。
BeMgZnSeは2.68-4.72 eVと広い禁制帯幅を有する直接遷移型のII-VI族化合物半導体であり， 基板材料として，燐化ガリウム(GaP)やシリコン(Si)を用いると， 格子整合を維持したまま， 295-345 nmの紫外領域をカバーできるため紫外線レーザの材料として有望である。 また，Siを基板として用いると， シリコン集積回路との融合による光デバイス・チップの高機能化をも期待できる。 さらに，Be化合物は共有結合性が強いため，硬い結晶であり， 従来のII−VI族ワイドギャップ半導体レーザの問題点であった寿命の改善が期待できる。 本研究室では，この魅力ある物性を有するBeMgZnSeに着目し， 紫外線光デバイス作製に向けて， 結晶成長，プロセス技術の基礎研究を行っている。
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