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フッ化物系量子へテロ構造
現在、デバイスの微細化は困難な段階にさしかかっている。そこで量子効果デバイスの研究が盛んに行われている。その一つである共鳴トンネルダイオード(RTD)は超高速のスイッチング速度と微分負性抵抗を持った電流特性を持つ。これにより超高速高集積回路を目指すことが可能である。本研究室ではこのような量子効果デバイスをSi基板上に実現することを目的として研究を行っている。
フッ化物絶縁体フッ化カルシウム(CaF2)及びフッ化カドミウム(CdF2)は大きな伝導体バンド不連続を持ち、顕著な量子効果が期待できる、Siとの格子不整合が小さSi基板上量子効果デバイス材料として有用である。
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