超高真空中イオンビーム薄膜結晶成長装置
MBE(分子線エピタキシャル)装置。セル加熱により弗化カルシウム、弗化カドミウムを、E-gun加熱によりシリコン、コバルトを堆積することができます。内蔵されたイオン化加速ユニットは、弗化カルシウムを電子照射によりイオン化する機構で、シリコン表面の被服率を大きく改善し、さらに電圧印加による加速が可能となります。
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