南３号館2階 電気情報系会議室 1996年 8月12日(月) 9:00〜16:45
発表時間
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発表 |
質問 |
合計 |
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M2 |
10 |
5 |
15 |
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D2 |
15 |
5 |
20 |
名前の後ろの ＊ マークは、博士課程進学希望者です｡
| 発表者 氏名 | 学年 | 研 究 室 名 | 論 文 題 目 |
司会：山田 明 ９:00 〜 10:20
| 二飯田 典久 | M2 | 小長井・山田研 | InGaP/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタに関する研究 |
| 市川 満 ＊ | M2 | 小長井・山田研 | 原子状水素を用いたSi薄膜の作製に関する基礎研究 |
| 石井 英明 | M2 | 小長井・山田研 | 走査型電子顕微鏡を用いた微細構造の作製に関する研究 |
| 宮城 恭輔 | M2 | 小長井・山田研 | ホットワイヤー法によるZnSeへの窒素ドーピング |
| Akhmurzin Erik | D2 | 小長井・山田研 | Amorphous Si Solar Cells Fabricated by Using SiH2Cl2 Addition |
休憩 20分
司会：中川 茂樹 10:40 〜 12:00
| 桑 保生 | D2 | 小長井・山田研 | 原子層成長法によるZnO透明導電膜の作製 |
| 大竹 保年 | D2 | 小長井・山田研 | 界面制御によるCu(InGa)Se2薄膜太陽電池の高効率化 |
| 畑谷 成郎 | D2 | 小長井・山田研 | 傾斜基板を用いたIII-V族化合物半導体の結晶成長 |
| 三浦 成久 | D2 | 小長井・山田研 | 超高濃度ドープ半導体を用いた超伝導微細構造素子の作製に関する研究 |
昼食 休憩 (12:00 〜 13:00)
司会：中川 茂樹 13:00 〜 14:50
| 丹羽 雄二 | M2 | 森泉・中本研 | 液体混合型能動匂いセンシングシステムの研究 |
| 星加 匡人 | M2 | 森泉・中本研 | 香料添加効果の官能測定と人工匂いシステム用アルゴリズムの研究 |
| 金井 友範 | M2 | 森泉研 | くし型電極を用いた液体センサの研究 |
| 中村 賢一 ＊ | M2 | 森泉研 | 水晶振動子匂いセンサ用感応膜の選択 |
| 倉ヶ崎 伸一 | M2 | 岩本研 | トンネルスペクトロスコピーを用いた金属/ポリイミド界面の
エネルギー準位の測定 |
| 水谷 嘉伸 | M2 | 岩本研 | 有機超薄膜と基板間の界面における双極性分子の挙動とその電子物性 |
| 伊東 栄次 | D2 | 岩本研 | 有機超薄膜界面の電子物性とその素子応用に関する研究 |
休憩 20分
司会：山田 明 15:10 〜 16:35
| 末光 克巳 | M2 | 直江・中川研 | 磁気テープ媒体の作製と下地層構造制御効果 |
| 高山 誓龍 | M2 | 直江・中川研 | Co-Cr合金薄膜の構造制御と保磁力分布の評価 |
| 市原 貴幸 | D2 | 直江・中川研 | 新スパッタ手法によるNi-Fe膜の軟磁気特性の制御 |
| 宮本 泰敬 | D2 | 直江・中川研 | 界面制御によるNi-Fe/Cu多層膜の巨大磁気抵抗特性の改善 |
| 土井 剛 | M2 | 阿部研 | バイオミメティック法のフェライトメッキへの応用 |
９月学部卒業 論文発表会
司会：中川 茂樹 16:35 〜 16:45
| 松本 圭司 | B4 | 阿部研 | 超音波励起フェライトメッキ法の開発 |
物性グループ 博士予備審査プログラム (非公開)
南３号館2階 電気情報系応接室 1996年８月13日(火) 13:00〜16:40
発表時間
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発表 |
質問 |
合計 |
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D3 |
30 |
10 |
40 |
司会：各指導教官 13:00 〜 15:00
| 野間 賢二 | D3 | 直江・中川研 | 重希ガス混合スパッタ法によるＢａフェライト薄膜の低温形成 |
| 張 敏娟 | D3 | 阿部研 | フェライトメッキ膜の生物・医学的応用 |
| 石田 寛 | D3 | 森泉・中本研 | 匂い源探知システムの研究 |
休憩 ２０分
司会：各指導教官 15:20 〜 16:40
| 金 禹淵 | D3 | 岩本研 | 単分子膜の光変位電流と液晶配向制御への応用 |
| 呉 済煥 | D3 | 小長井・山田研 | 高濃度カーボンドープInPのMOMBE成長とヘテロ接合バイポーラ
トランジスタへの応用に関する研究 |