コンピュータ制御により，Ga,Al,In,As,Pなどから成る化合物半導体超格子結晶を成長する低圧エピタキシャル成長装置であり，結晶成長機構の研究だけではなく，量子細線・量子箱構造，及びこれらを用いる半導体レーザや電子波デバイスの研究を行っています．
3連の電子ビーム蒸着源を2基備え，半導体デバイスの電極プロセス等に不可欠な金属薄膜を超高真空中で形成することができます．
イオン化クラスタービーム源を装備した超高真空結晶成長装置であり，シリコン基板上への弗化物結晶(CaF2,CdF2)及び金属結晶(CoSi2)のエピタキシャル成長機構の研究，及びこれらを用いた金属／絶縁体超格子構造電子デバイスや新型発光デバイスの研究を行っています．
原料供給をコンピュータ制御して、結晶成長過程を分光エリプソメトリでその場観察することにより原子層レベルで制御された超平滑表面を有する酸化膜薄膜を形成することが出来ます。
超高真空中において原子を一層ずつ単結晶成長する(エピタキシャル成長)ことにより、半導体薄膜を成長する装置です．種々の半導体材料を加熱することによって得られる分子線を組み合わせることによって，超高濃度カーボンドープp形GaAsや人工超格子を用いた量子効果デバイスをはじめさまざまなIII-V族化合物半導体薄膜を作製することができます．
超高分解能X線回折測定が可能であり，種々の単結晶試料の格子定数及び格子定数の試料内での分布のみならず，超格子構造の周期及びその分布などの測定に用いています．
(サブミクロン加工室設備)
熱陰極電界放射銃及び高精度試料台を装備した電子線描画露光装置であり，本センターのみならず学内共同利用設備として広く利用されています．本センターでは，この装置を用いて10nm級の極微構造(量子細線・量子箱)を高密度形成すること，及びこれらを用いる量子効果デバイスの研究を行っています．
イオン源からのビームを絞り，半導体等の試料を直接極微加工するための装置であり，これを用いて光走査トンネル顕微鏡(フォトンSTM)用ファイバプローブの先端加工や光及び電子デバイスの極微形状作製を行っています．
電子サイクロトロン共鳴(ECR)により低エネルギーのイオンを形成し，これを用いて高アスペクト比の極微細パターンが低損傷で作製できます．
全自動の反応性プラズマイオンエッチング装置．高アスペクト比の半導体極微構造形成を再現性よく行うことができます．
シランガスを超高周波(VHF)プラズマで分解して粒径10nm以下のナノクリスタルシリコンを形成します。
