量子ナノエレクトロニクス研究センター助教公募

1. 公募する職名、人数

• 助教　１名

2. 所属部門、講座、研究室等

• 量子ナノエレクトロニクス研究センター　超ヘテロ機能材料・デバイス研究部門
• 荒井・西山研究室

3. 専門分野、仕事の内容

• 専門分野：光エレクトロニクス、光電子集積工学分野
• 仕事の内容：研究業務として、半導体光および電子デバイスの設計（新たな構造の発案などを含む）・試作・評価、光通信ネットワーク構成評価を行うとともに、教育業務として電気電子工学実験などを担当する。有機金属気相成長法等の化合物半導体結晶成長あるいは極微構造形成プロセスの経験を有し、半導体レーザや電子デバイスの設計・特性評価に関する充分な知識、または光通信システムに関する十分な知識を有すること。

4. 着任時期

• 決定後、できるだけ早い時期

5. 応募資格、望ましい経歴

• 博士号取得、あるいは近い将来取得見込みの方。

6. 提出書類

• 〇履歴書　〇研究業績リスト　〇主要論文別刷３編以内　 〇今までの研究概要（2000字以内）　〇研究への抱負（2000字以内）〇推薦書　１通　または照会可能な方１名の氏名・連絡先

7. 公募締め切り

• 2008年5月30日（金）必着

8. 書類送付先、問い合わせ先

• 書類送付先：　〒152-8552 目黒区大岡山2-12-1-S9-5 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター　荒井滋久　宛
• 問合せ先：　〒152-8552 目黒区大岡山2-12-1-S9-5 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター　荒井滋久　　電話　03-5734-2512　E-mail:arai#pe.titech.ac.jp (#を@に変えて送信してください。)

9. その他

• 簡易書留で「超ヘテロ機能材料・デバイス研究部門助教応募書類在中」と朱書し、送付のこと。なお送付書類は返却いたしません