設備一覧と料金(2024年4月より適用)
支援に用いる装置の一覧と料金表(内税)です。特記がない場合は、利用一回あたりの料金です。 技術代行以外でクリーンルーム内の装置(前処理も)を扱う場合には、装置の料金以外に下から2番目のクリーンルーム利用料が必要です。また初回利用時は別途初回利用料をいただきます。
ARIM公開事業利用では、データ登録約款に基づいたデータ提供許諾が前提となっています。データ提供許諾をいただけけない場合は、クリーンルーム利用料以外について25%料金が割増となります。
また下記の表以外で、高度な知識が要求される技術相談は22,000円、実習スクールは2,000円が必要です。 なお、2024年3月までの利用料はこちらを参照ください。
利用装置 装置の特長及び仕様 クリーンルーム内扱い 装置写真 公開事業利用 自主事業(非公開)
技術代行及び技術補助 装置利用及び共同研究 技術代行 装置利用
電子ビーム露光装置(JEOL JBX-8100) スポットビーム、ベクタースキャン方式。 ビーム径3nm以下(100kV)、最小線幅8nm。つなぎ精度:仕様20nm/実測7.6nm(フィールドサイズ1000um)、重ね合わせ精度:仕様20nm/9.8nm(フィールドサイズ1000um)試料最大150oφウエーハまで 不定形も可能。各露光基板形状に基づいたモンテカルロシミュレーションによって点拡がり関数(PSF)を導出でき、得られたPSFに基づく近接効果補正が可能なソフトウェアを含む 10,600 8,200 40,800 18,800
露光時間1時間を超えるものの時間当たり超過額 2,800 2,800 7,800 7,800
マスクレス露光装置 大日本科研 MX-1204 DMDによるパターン生成露光、150mm角露光サイズ、最小線幅2um、線幅精度0.1um、アライメント精度±0.15um  12,800 3,300 54,600 42,900
マスクレス露光装置 大日本科研 MX-1205 DMDによるパターン生成露光、100mm角露光サイズ、最小線幅0.8um、線幅精度0.1um、アライメント精度±0.15um データ取り込み機能 12,800 3,300 54,600 42,900
コンタクト光学露光装置  Su?ss MA-8 ・アシスト機能装備、TSA/BSA装備
・表面アライメント制度 TSA:±0.25um以下 BSA:±1.00um以下
・露光解像度 0.5um
・対応基板 小片〜直径2inch ウェ
12,800 3,300 22,700 11,000
走査型電子顕微鏡 日立 S5200 高解像度用インレンズ式高解像度用インレンズ式  加速電圧1kV~30kV  分解能0.5nm(30kV)~1.7nm(1kV)  倍率X100~X2000K  STEMモード可 14,300 4,900 48,000 36,300
走査型電子顕微鏡 日立 S4500 電界放出型 ・冷陰極電界放出型電子銃 ・分解能:1.5 nm (加速電圧 15 kV WD=4mm) 4.0 nm (加速電圧1 kV WD=3mm) ・試料サイス:最大50 mm (直径) 14,300 4,900 48,000 36,300
3連Eガン蒸着装置  Ulvac EX-300 300mm対応 高速排気 25,500 13,500 50,700 35,800
高真空Eガン蒸着装置 エイコーエンジニアリング 特注品 ロードロックチャンバ付 6連E-gun 6kW 3連EBガン×2 到達真空度: 5e-8Torr以下 基板サイズ: 20mm角まで  蒸着原材料: Ti,Pd,Ni,Cr,Au 25,500 13,500 50,700 35,800
有機金属気相成長装置(日本酸素製 HR-3246) InP用 ・ウェハトレイ:石英製2インチウェハトレイ ・III族材料:TEG,TMG,TMA,TMI,CBr4 ・V族材料:AsH3(100%),AsH3(1%),PH3(100%),Si2H6,C2H6Zn 182,400 66,000 261,400 115,800
原子層堆積装置(Ultratech/CamnbridgeNanotech製 FijiF200) ロードロック機構付
プラズマ式/サーマル式の両方のモードでの原子層堆積が可能。化合物半導体等のMIS構造での低界面準位密度などに実績あり。(成膜温度で揮発し、装置を汚染する可能性のある材料は禁止) 酸素源:オゾンおよび水の両方の利用が可能
29,200 19,800 74,700 62,900
リアクテブイオンエッチング装置(サムコ RIE-10NR) ・各種シリコン薄膜(Si, SiO2, poly-Si, Si3N4等)の高精度エッチング装置 ・グラフィックタッチパネルによる全自動運転 ・最大φ8インチウエハー加工可能 ・高速排気エッチング  ガスの種類:CH4, H2, O2, Ar,CF4, O2 14,800 9,900 32,900 26,800
リアクテブイオンエッチング装置(サムコ ICP-101RF) ・使用ガス:CF4, SF6, CH4, H2, O2 ・4-inchウエハまで対応 シリコン加工関連のみに限定対応 14,600 9,900 69,200 63,300
リアクテブイオンエッチング装置(サムコ ICP-400iP ) ダイヤモンドやシリコン、SiO2などを高密度プラズマでエッチングする装置です。また、屈折率差がある材料であれば、終点検知も可能です。最大4インチ, 2インチ以下なら不定形基板の取り扱いができます。ガス種:CHF3, O2, CF4, SF6, Ar 14,600 9,900 69,200 63,300
プラズマCVD 装置(サムコ PD-100ST) 使用ガス: TEOS、O2、CF4 最大3インチまで 12,300 2,900 37,600 25,800
プラズマCVD 装置( 住友精密 Multiplex-CVD ) シリコン窒化膜/アモルファスシリコンの成膜 4インチ定形、もしくは2インチ以下の不定形 71,400 63,400 146,200 136,200
スパッタ成膜装置(金属用)ケーサイエンス KS-702-KM ゲージコントローラ、CDGコントローラ装備  ・膜厚計装備   ・スパッタコントローラ装備  ・Ti, W, TiW ロードロック付き装置 24,200 11,300 48,400 32,200
スパッタ成膜装置(絶縁膜用)ケーサイエンス KS-702-KM ゲージコントローラ、CDGコントローラ装備  ・膜厚計装備   ・スパッタコントローラ装備  ・SiN、Ta2O3、SiO2 最大2インチ程度まで 24,200 11,300 48,400 32,200
基板貼付け装置 (アユミ工業 VE-07-18) ・対応基板サイズ:2インチウェハ,2 cm×2 cm角,3 cm×3 cm角 ・プラズマ反応ガス:Ar, N2, O2 ・最大フ?ラス?マ強 度:750W ・アライメント精度<±1.6 um ・チャンハ?ー真空 度:~10^-5 Pa ・最大加熱温度:500°C ・アライメント部 加重範囲:5~100 kgf ・加重部 加重範囲:50~1000 kgf 4,800 700 37,600 32,400
ウェハ洗浄装置 (EVG EVG301) ・PVA製スポンジブラシ洗浄  ・メガソニック洗浄(最大振動子出力:40 W) ・対応基板サイズ:2インチウェハ/2 cm×2 cm角/3 cm×3 cm角 7,700 1,800 28,600 21,200
C-Vプロファイラ (Bio-rad POLARON PN4400) ワイドバンドギャップ半導体評価も可能 28,000 15,000 62,200 46,100
化合物半導体光素子用酸化炉 エピクエスト Hivox3001 化合物半導体用AlAs酸化用 最大加熱温度500度
最大ウェハサイズ3インチ
赤外線カメラによるin-situモニタ付き
18,400 9,000 27,700 16,000
FIB-SEMデュアルビーム加工観察装置(JEOL製 JIB-4501)時間当たり FIB部分 Ga 液体金属イオン源、加速電圧 1-30kV,ビーム電流最大60nA以上 SEM部分 加速電圧0.3-30kV  分解能 3nm以下 11,900 6,000 33,500 26,200
ダイシングソー(ディスコ DAD322) φ6インチ 切削可能範囲 x軸160mm y軸162m z軸32.2mm(φ2"ブレード時) UV照射装置およびウェハ拡張装置 ヒューグルエレクトロニクス HUV-0608/HS-1840(6インチダイシングフレーム(ディスコDTF2-6-1互換)設置可)によるダイシング前後処理も可能 13,900 1,000 9,000 2,400
スパッタ装置(対向ターゲット式) 対向ターゲット式RFスパッタリング(2元) 最大3インチまで (ただし堆積は中央の2インチ程度) 23,400 11,700 27,900 21,900
薄膜評価用試料水平型X線回折装置(リガク SmartLab ) 薄膜評価用試料水平型 18,700 8,100 38,400 31,800
フォトルミネッセンス測定装置(堀場顕微PL測定装置) 励起波長:640nm、1064nm、受光器:GaInAs、対物レンズ:x10(NA0.26)、x100(NA0.5) 16,800 4,800 35,000 23,000
磁気光学効果評価装置 プレサイスゲージ社製導波路調芯装置/サンテック社製波長可変光源(波長1500〜1680nm)/FiberPro社製ASE光源(~20dBm)/アドバンテスト社製光スペクトラムアナライザ(波長分解能0.01nm)による光導波路試料の磁気光学効果の測定
ファラデー回転測定装置(波長1550nm、最大磁場~1.6T:面直)/ネオアーク社製磁気カー偏光顕微鏡(対物レンズ50倍、最大磁場~0.1T:面内)による薄膜試料の磁気光学効果の測定
9,200 3,600 38,600 31,500
共焦点ラマン顕微鏡(WiTec alpha300R) 時間あたり 532 nm レーザー、グレーティング 600 g/mmおよび1800 g/mm(ブレーズ波長 500 nm)、空間分解能 350 nm(XY方向)および900 nm(Z方向)、対物レンズ 10倍・20倍・50倍・100倍、XYZ自動ステージによるラインスキャン・2次元マッピング・3次元マッピング 12,100 1,500 23,700 10,500
マイクロ波プラズマCVD装置 マイクロ波周波数 2.45 GHz、マイクロ波パワー 最大6 kW、水素・メタンガスによるダイヤモンド合成、窒素ガスによる不純物ドーピング、基板サイズ 50mmΦまで 窒素を添加することで、現在注目されている量子センサである窒素−空孔(NV)センタを作ることも可能です。 28,500 3,900 60,500 28,000
クライオ共焦点顕微鏡 時間あたり クライオスタットのプラットフォーム温度 3.4~350 K(試料温度は3.5 Kよりも上昇)、レーザ波長 514 nm、対物レンズ 50倍、光検出器 アバランシェフォトダイオードおよび分光器、XYおよびXZの2次元発光マッピング、Hanbury-Brown Twiss計測 18,900 1,300 32,500 10,500
東京エレクトロン300mm ウェハプローバ 時間あたり 150mm, 200mm, 300mmウェハ対応プローバー
多数枚自動測定対応、シリコンフォトニクス受動デバイス静特性測定
17,200 12,800 18,800 14,400
FormFactor 300mm ウェハプローバ 時間あたり チップ~ 300mmウェハ対応プローバー
単枚自動測定対応、シリコンフォトニクス受動デバイス静/動特性測定
10,900 6,500 25,600 21,200
UVナノインプリント露光装置 (EVG620NT) UVによるナノインプリント露光装置。4inchまで対応。解像度限界 L/S 50nm。 19,600 9,600 41,600 10,000
クリーンルーム利用料 一日一人当たり (ただし月当たり5日以上は控除) 純水製造装置・薬品処理ドラフトチャンバー・レジスト処理装置・光学顕微鏡(デジタル含)、低真空SEM、段差計などのクリーンルーム用設備群 - 3,000 - 3,700
初回利用料 33,000 0 49,500 49,500