プラズマ活性化接合に用いる装置
プラズマ活性化を行った後、位置合わせを行った後、圧力をかけ、基板同士を貼り付けます。
・プラズマ反応ガス:Ar, N2, O2
・最大プラズマ強 度:750W
・アライメント精度<±1.6 um
・チャンバー真空度:10-5 Pa
・最大加熱温度:500 ℃
・アライメント部 加重範囲:5〜100 kgf
・加重部 加重範囲:50〜1000 kgf
・対応基板サイズ:2インチウェハ/2 cm×2 cm角,3 cm×3 cm角
メガソニックウェーハ洗浄装置EVG301（EVグループ）
ウェハの直接貼付では貼り合せ前のウェーハに微小なパーティクルの残留で、接合面でボイドが発生し、デバイスの正常動作を妨げます。本洗浄装置は直接貼付における品質改善に大きく貢献します。 ・PVA製スポンジブラシ洗浄
・メガソニック洗浄（最大振動子出力:40 W）
・対応基板サイズ:2インチウェハ/2 cm×2 cm角/3 cm×3 cm角
基板貼り付け装置
メガソニックウェーハ洗浄装置
ウェハ直接接合法(Si基板/InP層)
プラズマ活性化接合法によるハイブリッドウェハ
III-V/SOI hybrid wafer (2 inch)
プラズマ活性化接合法による構造例
プラズマ活性化接合法による支援例
ナノテクロノジープラットフォーム F-17-IT-0026 ウェハ接合による極性反転構造の作製
三重大学 林侑介 助教
疑似位相整合(QPM)による深紫外第二次高調波発生を目的として、
ウェハ接合装置でAlN極性反転構造を作製した。
■ 得られた成果
