平成17年度支援において17年度報告後に報告されたもの F東工H17-028　による支援成果 1) 反本、津田“FDTD法を用いたサブ波長構造屈折率計算”第54回応用物理学関係連合講演会（口頭発表・国内） 平成18年度支援による発表 F東工H18-001，018及び034　による支援成果 2) K. Kishino, S. Ishizawa, and A. Kikuchi,"GaN Nanocolumns Grown on Si Substrates with Patterned Pre-deposited Al Layers", The 3rd Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2007), MO2-6, March 11-14, 2007, Jeonju, Korea（口頭発表・国際） 3) 石沢峻介，関口寛人，菊池昭彦，岸野克巳，「Alナノパターンを用いたGaNナノコラムの選択成長」，第54回応用物理学関係連合講演会，28a-ZC-7，神奈川，2007年3-4月（口頭発表・国内） F東工H18-003　による支援成果 4) 宮地正人、辰尾佳彦、鈴木哲、浅田雅洋,「THz検出用InPショットキーバリアダイオードのためのPdおよびNi-InPの作製と特性」第67回応用物理学会学術講演会,（口頭発表・国内） F東工H18-005及び016　による支援成果 5) 小黒 大、越後雅敏,「LER低減に向けた分子性レジスト基材の開発」応用物理学会分科会　シリコンテクノロジー分科会リソグラフィ委員会研究集会,（口頭発表・国内） 6) Masatoshi Echigo, Dai Oguro, Takeo Watanabe, Hiroo Kinoshita, Yukiko Kikuchi and Iwao Nishiyama，“Development of EUV Resists Based on Non Development of EUV Resists Based on Non--polymeric Macromolecules with polymeric Macromolecules with Polyphenol Polyphenol Derivatives"，2006 International Syposium on Extreme Ultraviolet Lithography（口頭発表･国際） 7) 越後雅敏, 小黒大, 岩崎龍, 渡邊健夫, 木下博雄, 菊池幸子, 西山岩男，「多環芳香族分子性ネガ型レジストの開発」第55回高分子討論会，（口頭発表･国内） F東工H18-006及び024　による支援成果 8) Chia-Yuan Chang, Edward Yi Chang, Yi-Chung Lien, Yasuyuki Miyamoto, Chien-I Kuo, Sze-Hung Cheng and Li-Hsin Chu, "High-PerformanceIn0.52Al0.48As/In0.6Ga0.4AsPower Metamorphic HEMT for Ka-Band Applications," IEEE International Conference on Semiconductor Electronics (2006),（口頭発表・国際） 9) Chia-Yuan Chang, Edward Yi Chang, Yi-Chung Lien, Yasuyuki Miyamoto, Chien-I Kuo, Sze-Hung Chang and Li-Hsin Chu, "High-PerformanceIn0.52Al0.48As/In0.6Ga0.4As Power Metamorphic High Electron Mobility Transistor for Ka-Band Applications", JJAP（2007年6月）,（原著論文による発表・国際・掲載予定） F東工H18-007　による支援成果 10) M. Watanabe, H. Toyao, J. Okabayashi and J. Yoshino,“Tunneling anisotropic magneto-resistance in GaMnAs-based MTJ” 第25 回電子材料シンポジウム（口頭発表・国内） 11) H. Toyao, Y. Tanikawa, M. Watanabe and J. Yoshino,“Current-driven magnetic orientation reversal achieved in GaMnAs-based double barrier TMR structures at extremely low-threshold current density” The 4th International Conference on Spin-Related Phenomena in Semiconductors,（口頭発表・国際） F東工H18-009　による支援成果 12) 山本直紀，鈴木喬博，「電子線励起発光顕微法による表面プラズモンポラリトンの直接観察」第67回応用物理学会（口頭発表･国内） 13) 山本直紀，鈴木喬博，「1次元プラズモニック結晶のバンド構造」第67回応用物理学会（口頭発表･国内） 14) 山本直紀，鈴木喬博，「1次元矩形構造のプラズモンモード」日本物理学会2006年秋季大会（口頭発表･国内） 15) 山本直紀，鈴木喬博，「1次元プラズモニック結晶のバンドギャップ」日本物理学会2006年秋季大会（口頭発表･国内） 16) 山本直紀，鈴木喬博，「電子線励起発光顕微法による表面プラズモンポラリトンの直接観察II」日本物理学会2006年秋季大会（口頭発表･国内） 17) N. Yamamoto, M. Nakano and T. Suzuki,“Light emission by surface plasmon on nano-structures of metal surfaces induced by high energy electron beam”Surface Interface Analysis (2006) （原著論文による発表・国際） 18) 山本直紀、鈴木喬博、塩川未久“TEM/CL法による表面プラズモンの解析”顕微鏡41，(2006)　 （左記以外の誌上発表・国内） 19) Takahiro Suzuki and Naoki Yamamoto，“Plasmonic band of metal surface with a 1-Dimensional periodic structure” 2006 16th International Microscopy congress (IMC16) (Sapporo, Japan, Sept. 3-8, 2006)，（口頭発表･国際） F東工H18-010　による支援成果 20) 駒田、津田、北野,「サブ波長構造を用いた偏光分離素子に関する研究」レーザー学会東京支部研究会(2007)（口頭発表･国内） F東工H18-011　による支援成果 21) K.Takai, T. Enoki:“Fabrication of Graphitic Wire Structure by Electron Beam lithography",　Nanophys2007, Tokyo, Japan.（口頭発表･国際） F東工H18-012　による支援成果 22) 安武裕輔、Charles G. Smith, 真島豊,「無電解金メッキ法によるナノギャップ電極の作成」第54回応用物理学関係連合講演会、予稿集p1279, 27a-SH-2 (2007)（口頭発表・国内） F東工H18-014　による支援成果 23) 宮地正人、辰尾佳彦、鈴木哲、浅田雅洋,「広帯域アンテナ集積InPショットキーバリアダイオードの作製とRTDサブＴＨｚ発振出力の受信」第54回応用物理学関係連合講演会、28p-J-4,（口頭発表・国内） F東工H18-029及び045　による支援成果 24) 小瀧 健一「マクロ撮像技術によるパターン評価/解析技術〜ナノインプリントパターン評価装置の開発状況」応用物理学会ナノインプリント技術研究会（2007年5月24日）（口頭発表･国内・発表予定） F東工H18-033　による支援成果 25) M. Watanabe, H. Toyao, J. Okabayashi, and J. Yoshino,“Current-driven magnetization reversal in GaMnAs-based magnetic tunnel junctions: Comparison between single and double barrier structures(A5)” The 11th Symposium on Spin-Related Phenomena in Semiconductors（口頭発表･国際） F東工H18-033及び038　による支援成果 26) M. Watanabe, H. Toyao, J. Okabayashi, T. Yamaguchi., and J. Yoshino,“Layer-thickness dependence in tunneling magnetoresistance and current-driven magnetization reversal using GaMnAs-based double-barrier structures” Physca E（原著論文による発表・国際・掲載予定） F東工H18- 038　による支援成果 27) M. Watanabe, H. Toyao, J. Okabayashi, and J. Yoshino,“Tunneling magnetoresistance and current-driven magnetization reversal in GaMnAs-based double-barrier structures” Second International Symposium on Nanometer-Scale Quantum Physics (nanoPHYS'07),（口頭発表・国際） 28) 渡辺　麻耶, 鳥屋尾 博,　岡林 潤,　吉野 淳二,「GaMnAs二重障壁トンネル接合構造におけるスピン注入磁化反転 ： フリー層膜厚依存性」第54回応用物理学関係連合講演会（口頭発表･国内） F東工H18-040　による支援成果 29) S. Sudo, K. Mizutani, M. L. Nielsen, T. Okamoto, K. Tsuruoka, K. Sato and K. Kudo,“Over 100-mW Output Power Operation of VOA Integrated Full C-Band External Cavity Wavelength Tunable Laser Utilizing High-Refractive-Index Gap Mirror” ISLC2006（口頭発表･国際）