| 課題番号 | 支援申込者 | 申込課題 | 支援形態 |
|---|---|---|---|
| F東工H17-001 | 三菱ガス化学 | 多環芳香環を有する分子性レジストの開発(5) | 技術代行 |
| F東工H17-002 | 名古屋工業大学 | エピタキシャル成長を利用したコロイド単結晶の創製 その１．テンプレートの選択 | 技術代行 |
| F東工H17-003 | NTT | 電子ビーム露光におけるエミッタメタル厚さ | 共同研究 |
| F東工H17-004 | 千歳科技大 | ナノインプリント法によるDFB共振器の作製 | 技術代行 |
| F東工H17-005 | 昭和電工 | 化学増幅型ポジ型レジストを用いたチャージアップ防止剤の評価条件の検討 | 技術代行 |
| F東工H17-006 | ニューフレアテクノロジー | 電子ビーム露光におけるﾚｼﾞｽﾄ形成精度の研究1 -露光後からPEBまでの時間に対するｺﾝﾄﾗｽﾄ依存性- | 技術代行 |
| F東工H17-007 | 台湾交通大 | 電子ビーム露光と三層レジストによる50-nm T形ゲートの作製 | 共同研究 |
| F東工H17-008 | 東工大・理工・物性物理学専攻・吉野研 | 磁性半導体TMR構造におけるスピン注入効果に関する研究 IV ２重障壁型TMR素子による電流注入磁化反転の観測 | 技術代行 |
| F東工H17-009 | 東工大・理工・物性物理学専攻・山本研 | 1次元プラズモニック結晶のバンド構造 | 技術代行 |
| F東工H17-010 | 青山学院大学 | カーボンナノチューブを用いたナノスケール素子の作製-I | 共同研究 |
| F東工H17-011 | 昭和電工 | 化学増幅型ポジ型レジストを用いたチャージアップ防止剤の評価 | 技術代行 |
| F東工H17-012 | 東工大・理工・有機・高分子物質専攻 ・上田研 | 電子線リソグラフィ用デンドリマーフォトレジストの開発 | 技術代行 |
| F東工H17-013 | 日本電気 | ドライエッチングによる高機能集積光素子向けチップ内反射鏡形成 | 技術代行 |
| F東工H17-014 | LEEPL | 電子線露光用等倍ステンシルマスクの開発1- 極微細ハードマスクパターンエッチング技術開発 - | 技術代行 |
| F東工H17-015 | 通総研 | 共鳴トンネル型量子効果サブミリ波デバイスの作製とその性能評価 | 共同研究 |
| F東工H17-016 | 台湾交通大 | ナノT形ゲートリソグラフィのためのレジスト形状と位置合わせ精度の改善 | 共同研究 |
| F東工H17-017 | 昭和電工 | 化学増幅型ポジ型レジストに対するチャージアップ防止剤の添加剤の影響 | 技術代行 |
| F東工H17-018 | 名古屋工業大学 | エピタキシャル成長を利用したコロイド単結晶の創製 その２．石英基板の利用 | 技術代行 |
| F東工H17-019 | 東工大・理工・電子物理学専攻・真島研 | 電子ビーム露光を用いた分子ナノデバイスの試作に関する研究 | 技術代行 |
| F東工H17-020 | NTT | 電子ビーム露光におけるエミッタ・ベースの位置合わせ | 共同研究 |
| F東工H17-021 | 東工大・理工・物性物理学専攻・吉野研 | 磁性半導体TMR構造におけるスピン注入効果に関する研究 V ナノメータスケール埋込メサ型TMR素子形成プロセスの再検討 | 技術代行 |
| F東工H17-022 | 青山学院大学 | カーボンナノチューブを用いたナノスケール素子の作製-II | 共同研究 |
| F東工H17-023 | 昭和電工 | 化学増幅型ネガ型レジストを用いたチャージアップ防止剤の評価条件の検討 | 技術代行 |
| F東工H17-024 | 千歳科技大 | DFB共振器を有する低閾値有機固体レーザ | 技術代行 |
| F東工H17-025 | 台湾交通大 | GaAsメタモルフィックHEMTのためのナノT形ゲートリソグラフィ | 共同研究 |
| F東工H17-026 | ニューフレアテクノロジー | 電子ビーム露光におけるレジスト形成精度の研究2 -ビームブラーがLERに与える影響- | 技術代行 |
| F東工H17-027 | 東工大・理工・化学専攻・榎研 | 電子ビーム露光によるグラファイト微細パターンの作成 | 技術代行 |
| F東工H17-028 | 慶応義塾大学 | 偏光分離サブ波長構造の高効率化の検討 | 技術代行 |
| F東工H17-029 | 昭和電工 | 化学増幅型ネガ型レジストを用いたチャージアップ防止剤の評価 | 技術代行 |
| F東工H17-030 | 東工大・理工・物性物理学専攻・山本研 | 単一矩形構造のプラズモンパターン | 技術代行 |
| F東工H17-031 | PDサービス | 電界による集束効果を利用した電子ビーム露光用のマスク開発 | 技術代行 |
| F東工H17-032 | 東工大・理工・物性物理学専攻・吉野研 | 磁性半導体TMR構造におけるスピン注入効果に関する研究 VI ２重障壁型TMR素子による電流注入磁化反転過程の検討 | 技術代行 |
| F東工H17-033 | 台湾交通大 | 70nm T形ゲートによるIn0.4Al0.6As/In0.4Ga0.6AsパワーMHEMTの為のゲートリセス長の研究 | 共同研究 |
| F東工H17-034 | 名古屋工業大学 | エピタキシャル成長を利用したコロイド単結晶の創製 その３．金コート基板の利用 | 技術代行 |
| F東工H17-035 | 昭和電工 | 化学増幅型ネガ型レジストに対するチャージアップ防止剤の添加剤の影響 | 技術代行 |
| F東工H17-036 | NTT | 電子ビーム露光HBT作製におけるエッチング条件 | 共同研究 |
| F東工H17-037 | 富士通 | ＥＢ描画とシリコン異方性エッチングを併用したナノモールドの作成 | 技術代行 |
| F東工H17-038 | LEEPL | 電子線露光用等倍ステンシルマスクの開発2- マスクパターンエッチング技術開発 - | 技術代行 |
| F東工H17-039 | 日本電気 | ギャップ反射鏡を有する外部共振器型波長可変レーザの研究 | 技術代行 |
| F東工H17-040 | 千歳科技大 | DFB共振器を有するOLED型素子 | 技術代行 |
| F東工H17-041 | 昭和電工 | 非化学増幅型レジストを用いたチャージアップ防止剤の評価条件の検討 | 技術代行 |
| F東工H17-042 | 東工大・理工・有機・高分子物質専攻 ・上田研 | 電子線リソグラフィ用デンドリマーフォトレジストの開発 | 技術代行 |
| F東工H17-043 | 台湾交通大 | 新型InAs HEMT | 共同研究 |
| F東工H17-044 | 東工大・柴田・矢野研 | SU-8厚膜の反応性イオンエッチング | 技術代行 |
| F東工H17-045 | 通総研 | 共鳴トンネル型量子効果サブミリ波デバイスの作製とその性能評価 | 共同研究 |
| F東工H17-046 | 仙台電波高専 | THz 帯プレーナ形ショットキ・バリア・ダイオードの開発 | 共同研究 |