設備一覧 (2017年10月よりの料金)
機器画像 設備名称 仕様 ナノプラット支援事業での利用料金 自主事業での利用料金
電子ビーム露光装置 (スピンコータ・ホットプレート・オーブン等を含む) JEOL JBX-6300SJ スポットビーム、ベクタースキャン方式。 ビーム径3nm以下(100kV)、最少線幅10nm以下。 重ね合わせ精度/重ね合わせ精度10nm以下。試料最大150㎜φウエーハ可。. ¥11,900/1露光 -
電子ビーム露光データ加工ソフトウェア GenISys BEAMER/ JEOL01,51,52などの日本電子製電子ビーム露光用 パターンデータファイルが入出力可能。 各露光基板形状に基づいたモンテカルロシミュレーションによって点拡がり関数(PSF)を導出でき、得られたPSFに基づく近接効果補正が可能。 ¥0 ¥3,000/時間
マスクレス露光装置 マスクレス露光装置 大日本科研製 MX-1204 DMDによるパターン生成露光、150mm露光サイズ、最小描画画素1um、 アライメント精度±0.15um. ¥3,900/1露光 ¥41,800/1露光
コンタクト光学露光装置 Suss MA-8 ・アシスト機能装備、TSA/BSA装備                 ・表面アライメント制度 TSA:±0.25um以下 BSA:±1.00um以下 ・露光解像度 0.5um                        ・対応基板 小片角?直径2inch ウェハ. ¥4,900/1露光 ¥22,700/1露光
走査型電子顕微鏡 日立S5200  高解像度用インレンズ式  加速電圧1kV?30kV  分解能0.5nm(30kV)?1.7nm(1kV)  倍率X100?X2000K  STEMモード可. ¥4,100/1観察 ¥33,600/1観察
走査型電子顕微鏡 日立S-4500 電界放出型 ・冷陰極電界放出型電子銃 ・分解能:1.5 nm (加速電圧 15 kV WD=4mm)      4.0 nm (加速電圧1 kV WD=3mm) ・試料サイス?:最大50 mm (直径) ・EDX検出器装備 (HORIBA EMAX-7300) ¥4,100/1観察 ¥33,600/1観察
触針式段差計 KLA テンコール P-7 Φ150mm電動ステージ > 長距離測定(最大150mm) 垂直測定レンジ(最大)327μm  垂直測定分解能(最高)0.001nm 段差測定再現性 1σ=0.4nm (1μm標準試料) 針圧範囲 0.5~50mg   ¥500/1観察 ¥3,900/1観察
低真空 SEM キーエンス VHX-D510 レンズ: 電子式超深度レンズ+光学 倍率: 30?5000倍(垂直)、30?2000倍(傾斜)、      50?500倍(光学) 観察像: 2次電子 試料サイス?: Φ100 mm 5軸(XYZ+傾斜+回転) 試料室200 mm ×200 mm 試料高さ 30 mm ¥400/1観察 ¥3,100/1観察
デジタル顕微鏡 キーエンスVHX- 1000 レンズ:VH-Z500R/VH-Z500W 倍率:500?5000倍 観察距離:4.4mm 撮影サイズ-解像度-画素数: 標準--1600x1200-200万 3CCD-1600x1200-200万x3CCD 高精細-3200x2400-800万 超高精細-4800x3600-1800万 5400万画素-4800x3600-1800万x3CCD ¥400/1観察 ¥3,100/1観察
FIB-SEMデュアルビーム加工観察装置 JEOL製 JIB-4501  FIB部分 Ga 液体金属イオン源、加速電圧 1-30kV,ビーム電流最大 60nA以上 SEM部分 加速電圧0.3-30kV  分解能 3nm以下 TEM用 試料の自動加工およびメッシュへの移動が可能 ¥2,600/時間 ¥19,300/時間
高真空蒸着装置 エイコーエンジニアリング製 ロードロックチャンバ付 6連E-gun 6kW 3連EBガン×2 到達真空度: 5e-8Torr以下 基板サイズ: 20mm角まで  蒸着原材料: Ti,Pd,Ni,Cr,Au (2台あります。) ¥10,400/1蒸着 ¥32,700/1蒸着
リアクテブイオンエッチング装置 サムコ製 RIE-10NR ・各種シリコン薄膜(Si, SiO2, poly-Si, Si3N4等)の高精度エッチング装置 ・グラフィックタッチパネルによる全自動運転 ・最大φ8インチウエハー加工可能 ・高速排気エッチング  ガスの種類:CH4, H2, O2, Ar,CF4, O2 (3台あります) ¥7,200/1エッチング ¥17,900/1エッチング
リアクテブイオンエッチング装置 サムコ製ICP-RIE 装置 (ICP-101RF) ・使用ガス:CF4, SF6, CH4, H2, O2 ・4-inchウエハまで対応 シリコン加工関連のみに限定対応 ¥7,300/1エッチング ¥51,100/1エッチング
プラズマCVD 装置 シリコン酸化膜 サムコPD-240 および PD-100ST 使用ガス: TEOS、O2、CF4 ¥2,900/1成膜 ¥26,000/1成膜
有機金属気相成長装置 日本酸素製 HR-3246 InP用 ・ウェハトレイ:石英製2インチウェハトレイ ・III族材料:TEG,TMG,TMA,TMI,CBr4 ・V族材料:AsH3(100%),AsH3(1%),PH3(100%),Si2H6,C2H6Zn ¥33,300/1成膜 ¥103,400/1成膜
スパッタ成膜装置 ゲージコントローラ、CDGコントローラ装備  ・膜厚計装備   ・スパッタコントローラ装備  ・SiN、Ta2O3、SiO2 (絶縁膜用装置)/Ti, W, TiW (電極用/ロードロック付き装置) ¥9,700/1成膜 ¥27,900/1成膜
原子層堆積装置 Ultratech/CamnbridgeNanotech製 FijiF200 ロードロック機構付 プラズマ式/サーマル式の両方のモードでの原子層堆積が可能。 4プレカーサライン・4プラズマガスライン。 酸素源:オゾンおよび水の両方の利用が可能 ¥5,700/1成膜 ¥36,900/1成膜
プラズマCVD装置 シリコン窒化膜/アモルファスシリコンの成膜 住友精密工業  Multiplex-CVD  ¥10,800/1成膜 ¥41,800/1成膜
基板貼付け装置 アユミ工業 VE-07-18 ・対応基板サイズ:2インチウェハ,2 cm×2 cm角,3 cm×3 cm角 ・プラズマ反応ガス:Ar, N2, O2 ・最大フ?ラス?マ強 度:750W ・アライメント精度<±1.6 um ・チャンハ?ー真空 度:~10^-5 Pa ・最大加熱温度:500°C ・アライメント部 加重範囲:5~100 kgf ・加重部 加重範囲:50~1000 kgf ¥600/1貼付け ¥30,000/1貼付け
ウェハ洗浄装置 EVG EVG301 ・PVA製スポンジブラシ洗浄  ・メガソニック洗浄(最大振動子出力:40 W) ・対応基板サイズ:2インチウェハ/2 cm×2 cm角/3 cm×3 cm角 ¥5,100/1ウェハ ¥23,600/1貼付け
C-Vプロファイラ Bio-rad POLARON PN4200 1,400円/1回 26,500円/1回
ダイシングソー ディスコ DAD322 φ6インチ 切削可能範囲 x軸160mm y軸162m z軸32.2mm(φ2"ブレード時)   Si用ブレード(NBC-Z1060)以外のブレードは基本自己負担 700円/1回 7,800円/1回
化合物半導体光素子用酸化炉 最大温度500C(プログラム温調可) 基板サイズ最大2インチ 2,400円/1回 7,300円/1回
スパッタ装置(対向ターゲット式) 対向ターゲット式RFスパッタリング(2元) 9,700円/1回 27,900円/1回
電子ビーム露光を含む造形支援 - ¥110,000/1露光
自主事業初回利用料 - ¥30,000
国立大学法人は営利企業でないことから、人件費・消耗品・装置保守費を算出根拠としております。