| 利用装置 | 設備ID | 装置の特長及び仕様 | クリーンルーム内扱い | 装置写真 | 公開事業利用 | 自主事業（非公開） | ||
| 技術代行及び技術補助 | 装置利用及び共同研究 | 技術代行 | 装置利用 | |||||
| 電子ビーム露光装置（JEOL JBX-8100) | IT-038 | スポットビーム、ベクタースキャン方式。 ビーム径3nm以下(100kV)、最小線幅8nm。つなぎ精度:仕様20nm/実測7.6nm（フィールドサイズ1000um)、重ね合わせ精度:仕様20nm/9.8nm（フィールドサイズ1000um）試料最大150㎜φウエーハまで 不定形も可能 JEOL01,51,52などの日本電子製電子ビーム露光用パターンデータファイルが入出力可能。各露光基板形状に基づいたモンテカルロシミュレーションによって点拡がり関数(PSF)を導出でき、得られたPSFに基づく近接効果補正が可能なソフトウェア（GenISys Beamer）を含む。 | 〇 |  |
10,600 | 8,200 | 40,800 | 18,800 |
| 露光時間1時間を超えるものの時間当たり超過額 | 〇 | 2,800 | 2,800 | 7,800 | 7,800 | |||
| マスクレス露光装置 大日本科研 MX-1205 | IT-003 | DMDによるパターン生成露光、100mm角露光サイズ、最小線幅0.8um、線幅精度0.1um、アライメント精度±0.15um データ取り込み機能 | 〇 |  |
12,800 | 3,300 | 54,600 | 42,900 |
| マスクレス露光装置 大日本科研 MX-1204 | IT-004 | DMDによるパターン生成露光、150mm角露光サイズ、最小線幅2um、線幅精度0.1um、アライメント精度±0.15um | 〇 |  |
12,800 | 3,300 | 54,600 | 42,900 |
| コンタクト光学露光装置 Su?ss MA-8 | IT-005 | ・アシスト機能装備、TSA/BSA装備 ・表面アライメント制度 TSA：±0.25um以下 BSA：±1.00um以下 ・露光解像度 0.5um ・対応基板 小片～直径2inch ウェ |
〇 |  |
12,800 | 3,300 | 22,700 | 11,000 |
| 走査型電子顕微鏡 日立 S5200 | IT-006 | 高解像度用インレンズ式高解像度用インレンズ式 加速電圧1ｋV~30kV 分解能0.5nm(30kV）~1.7nm（1kV) 倍率X100~X2000K STEMモード可 |  |
14,300 | 4,900 | 48,000 | 36,300 | |
| 走査型電子顕微鏡 日立 S4500 | IT-007 | 電界放出型 ・冷陰極電界放出型電子銃 ・分解能：1.5 nm （加速電圧 15 kV WD=4mm） 4.0 nm （加速電圧1 kV WD=3mm) ・試料サイス:最大50 mm (直径) |  |
14,300 | 4,900 | 48,000 | 36,300 | |
| 3連Eガン蒸着装置 Ulvac EX-300 | IT-008 | 300mm対応 高速排気 | 〇 |  |
25,500 | 13,500 | 50,700 | 35,800 |
| 高真空Eガン蒸着装置 エイコーエンジニアリング 特注品 | IT-009 | ロードロックチャンバ付 6連E-gun 6kW 3連EBガン×2 到達真空度: 5e-8Torr以下 基板サイズ: 20mm角まで 蒸着原材料: Ti,Pd,Ni,Cr,Au | 〇 |  |
25,500 | 13,500 | 50,700 | 35,800 |
| 有機金属気相成長装置（日本酸素製 HR-3246) | IT-010 | InP用 ・ウェハトレイ:石英製2インチウェハトレイ ・III族材料:TEG,TMG,TMA,TMI,CBr4 ・V族材料:AsH3(100%),AsH3(1%),PH3(100%),Si2H6,C2H6Zn | 〇 |  |
182,400 | 66,000 | 261,400 | 115,800 |
| 原子層堆積装置（Ultratech/CamnbridgeNanotech製 FijiF200） | IT-011 | ロードロック機構付 プラズマ式/サーマル式の両方のモードでの原子層堆積が可能。化合物半導体等のMIS構造での低界面準位密度などに実績あり。（成膜温度で揮発し、装置を汚染する可能性のある材料は禁止） 酸素源：オゾンおよび水の両方の利用が可能 |
〇 |  |
29,200 | 19,800 | 74,700 | 62,900 |
| リアクテブイオンエッチング装置（サムコ RIE-10NR) | IT-012 | ・各種シリコン薄膜(Si, SiO2, poly-Si, Si3N4等)の高精度エッチング装置 ・グラフィックタッチパネルによる全自動運転 ・最大φ8インチウエハー加工可能 ・高速排気エッチング ガスの種類：CH4, H2, O2, Ar,CF4, O2 | 〇 |  |
14,800 | 9,900 | 32,900 | 26,800 |
| ICPリアクテブイオンエッチング装置（サムコ ICP-101RF) | IT-013 | ・使用ガス：CF4, SF6, CH4, H2, O2 ・4-inchウエハまで対応 シリコン加工関連のみに限定対応 | 〇 |  |
14,600 | 9,900 | 69,200 | 63,300 |
| ダイヤモンド用リアクテブイオンエッチング装置（サムコ ICP-400iP ) | IT-014 | ダイヤモンドやシリコン、SiO2などを高密度プラズマでエッチングする装置です。また、屈折率差がある材料であれば、終点検知も可能です。最大４インチ, ２インチ以下なら不定形基板の取り扱いができます。ガス種：CHF3, O2, CF4, SF6, Ar | 〇 |  |
14,600 | 9,900 | 69,200 | 63,300 |
| SiO2 プラズマCVD 装置（サムコ PD-100ST） | IT-015 | 使用ガス: TEOS、O2、CF4 最大3インチまで | 〇 |  |
12,300 | 2,900 | 37,600 | 25,800 |
| SiN/a-SiプラズマCVD 装置（ 住友精密 Multiplex-CVD ） | IT-016 | シリコン窒化膜/アモルファスシリコンの成膜 ４インチ定形、もしくは２インチ以下の不定形 | 〇 |  |
71,400 | 63,400 | 146,200 | 136,200 |
| スパッタ成膜装置(金属用）ケーサイエンス KS-702-KM | IT-017 | ゲージコントローラ、CDGコントローラ装備 ・膜厚計装備 ・スパッタコントローラ装備 ・Ti, W, TiW ロードロック付き装置 | 〇 |  |
24,200 | 11,300 | 48,400 | 32,200 |
| スパッタ成膜装置(絶縁膜用）ケーサイエンス KS-702-KM | IT-018 | ゲージコントローラ、CDGコントローラ装備 ・膜厚計装備 ・スパッタコントローラ装備 ・SiN、Ta2O3、SiO2 最大2インチ程度まで | 〇 |  |
24,200 | 11,300 | 48,400 | 32,200 |
| 基板貼付け装置 （アユミ工業 VE-07-18) | IT-019 | ・対応基板サイズ:2インチウェハ,2 cm×2 cm角,3 cm×3 cm角 ・プラズマ反応ガス:Ar, N2, O2 ・最大フ?ラス?マ強 度:750W ・アライメント精度<±1.6 um ・チャンハ?ー真空 度:~10^-5 Pa ・最大加熱温度:500°C ・アライメント部 加重範囲:5~100 kgf ・加重部 加重範囲:50~1000 kgf | 〇 |  |
4,800 | 700 | 37,600 | 32,400 |
| ウェハ洗浄装置 （EVG EVG301） | IT-020 | ・PVA製スポンジブラシ洗浄 ・メガソニック洗浄（最大振動子出力:40 W） ・対応基板サイズ:2インチウェハ/2 cm×2 cm角/3 cm×3 cm角 | 〇 |  |
7,700 | 1,800 | 28,600 | 21,200 |
| C-Vプロファイラ (Bio-rad POLARON PN4400) | IT-021 | ワイドバンドギャップ半導体評価も可能 | 〇 |  |
28,000 | 15,000 | 62,200 | 46,100 |
| 化合物半導体光素子用酸化炉 エピクエスト Hivox3001 | IT-022 | 化合物半導体用AlAs酸化用 最大加熱温度５００度 最大ウェハサイズ３インチ 赤外線カメラによるin-situモニタ付き |
〇 |  |
18,400 | 9,000 | 27,700 | 16,000 |
| FIB-SEMデュアルビーム加工観察装置（JEOL製 JIB-4501)時間当たり | IT-023 | FIB部分 Ga 液体金属イオン源、加速電圧 1-30kV,ビーム電流最大60nA以上 SEM部分 加速電圧0.3-30kV 分解能 3nm以下 | 〇 |  |
11,900 | 6,000 | 33,500 | 26,200 |
| ダイシングソー（ディスコ DAD322) | IT-027 | φ6インチ 切削可能範囲 x軸160mm y軸162m z軸32.2mm（φ2"ブレード時） UV照射装置およびウェハ拡張装置 ヒューグルエレクトロニクス HUV-0608/HS-1840（6インチダイシングフレーム（ディスコDTF2-6-1互換）設置可）によるダイシング前後処理も可能 | 〇 |  |
13,900 | 1,000 | 9,000 | 2,400 |
| スパッタ装置（対向ターゲット式） | IT-028 | 対向ターゲット式RFスパッタリング（2元） 最大3インチまで （ただし堆積は中央の2インチ程度） | 〇 |  |
23,400 | 11,700 | 27,900 | 21,900 |
| 薄膜評価用試料水平型Ｘ線回折装置（リガク SmartLab ) | IT-029 | 薄膜評価用試料水平型 | 〇 |  |
18,700 | 8,100 | 38,400 | 31,800 |
| フォトルミネッセンス測定装置(堀場顕微ＰＬ測定装置) | IT-030 | 励起波長:640nm、1064nm、受光器:GaInAs、対物レンズ:ｘ10(NA0.26)、x100(NA0.5) |  |
16,800 | 4,800 | 35,000 | 23,000 | |
| 磁気光学効果評価装置 | IT-031 | プレサイスゲージ社製導波路調芯装置/サンテック社製波長可変光源（波長1500～1680nm）/FiberPro社製ASE光源（~20dBm）/アドバンテスト社製光スペクトラムアナライザ（波長分解能0.01nm）による光導波路試料の磁気光学効果の測定 ファラデー回転測定装置（波長1550nm、最大磁場~1.6T：面直）/ネオアーク社製磁気カー偏光顕微鏡（対物レンズ50倍、最大磁場~0.1T：面内）による薄膜試料の磁気光学効果の測定 |
 |
9,200 | 3,600 | 38,600 | 31,500 | |
| 共焦点ラマン顕微鏡(WiTec alpha300R) 時間あたり | IT-032 | 532 nm レーザー、グレーティング 600 g/mmおよび1800 g/mm（ブレーズ波長 500 nm）、空間分解能 350 nm（XY方向）および900 nm（Z方向）、対物レンズ 10倍・20倍・50倍・100倍、XYZ自動ステージによるラインスキャン・2次元マッピング・3次元マッピング |  |
12,100 | 1,500 | 23,700 | 10,500 | |
| マイクロ波プラズマCVD装置 | IT-033 | マイクロ波周波数 2.45 GHz、マイクロ波パワー 最大6 kW、水素・メタンガスによるダイヤモンド合成、窒素ガスによる不純物ドーピング、基板サイズ 50mmΦまで 窒素を添加することで、現在注目されている量子センサである窒素－空孔（NV）センタを作ることも可能です。 |  |
28,500 | 3,900 | 60,500 | 28,000 | |
| クライオ共焦点顕微鏡 時間あたり | IT-034 | クライオスタットのプラットフォーム温度 3.4~350 K（試料温度は3.5 Kよりも上昇）、レーザ波長 514 nm、対物レンズ 50倍、光検出器 アバランシェフォトダイオードおよび分光器、XYおよびXZの2次元発光マッピング、Hanbury-Brown Twiss計測 |  |
18,900 | 1,300 | 32,500 | 10,500 | |
| 東京エレクトロン300mm ウェハプローバ 時間あたり | IT-035 | 150mm, 200mm, 300mmウェハ対応プローバー 多数枚自動測定対応、シリコンフォトニクス受動デバイス静特性測定 |
 |
17,200 | 12,800 | 18,800 | 14,400 | |
| FormFactor 300mm ウェハプローバ 時間あたり | IT-036 | チップ~ 300mmウェハ対応プローバー 単枚自動測定対応、シリコンフォトニクス受動デバイス静/動特性測定 |
 |
10,900 | 6,500 | 25,600 | 21,200 | |
| UVナノインプリント露光装置 （EVG620NT） | IT-039 | UVによるナノインプリント露光装置。4inchまで対応。解像度限界 L/S 50nm。 | 〇 |  |
19,600 | 9,600 | 41,600 | 10,000 |
| クリーンルーム利用料 一日一人当たり （ただし月当たり5日以上は控除） | IT-037 | 純水製造装置・薬品処理ドラフトチャンバー・レジスト処理装置・光学顕微鏡（デジタル含）、低真空SEM、触針式段差計などを含むクリーンルーム用設備群 ・触針式段差計： Φ150mm電動ステージ > 長距離測定（最大150mm） 垂直測定レンジ（最大）327μm 垂直測定分解能（最高）0.001nm 段差測定再現性 1σ＝0.4nm （1μm標準試料） 針圧範囲 0.5～50mg ・低真空SEM： レンズ：電子式超深度レンズ＋光学 倍率：30-5000倍（垂直）、30－2000倍（傾斜）、50-500倍(光学) 観察像: 2次電子 試料サイス?: Φ100 mm 5軸(XYZ+傾斜+回転) 試料室200 mm ×200 mm 試料高さ 30 mm ・デジタル顕微鏡： ハイレゾリューションヘッド : 1/1.7 型 1,222万 画素 CMOSイメージセンサ 総画素 4,168 (H) × 3,062 (V) 実効画素 4,024 (H) × 3,036 (V) | 〇 |  |
- | 3,000 | - | 3,700 |
| 初回利用料 | 33,000 | 0 | 49,500 | 49,500 | ||||