講 義 名 機能電子デバイスI (Functional Electron Devices I)
開講学期 前学期 単位数 2-0-0
担当教員
○ 筒井 一生 助教授 ： すずかけ台 G2棟1009号室 （内線5462）
E-mail: ktsutsui@ep.titech.ac.jp
　 岩井　洋 教授 ： すずかけ台 G2棟 1015号室 （内線5471）
E-mail: iwai@ep.titech.ac.jp
　 有本 由弘 教授   E-mail: arimoto@flab.fujitsu.co.jp  
 
【講義の目的】
シリコンＬＳＩを構成する基本要素であるＭＯＳ型電界効果トランジスタ(MOSFET)，およびバイポーラトランジスタについて，基本構造及び原理について講述するとともに，高周波動作，低消費電力動作など先端集積電子デバイスに求められる諸元の解説と，その設計及び製造の指針を基本原理に基づいて詳述する．
【講義計画】

    1.MOSFET
    　(1)電界効果トランジスタの構造と動作原理
    　(2)静特性
    　(3)高周波特性と等価回路
    　(4)高性能化への指針(極微細化，High-k技術等)
    2.バイポーラトランジスタ
    　(1)バイポーラトランジスタの構造と動作原理
    　(2)静特性と等価回路
    　(3)高周波特性
    　(4)SiGeヘテロ接合バイポーラトランジスタ
    3.集積回路基礎
    　(1)シリコン集積プロセスの基礎
    　(2)集積技術の実際
    　(3)システム・オン・チップ

【教科書・参考書等】
毎回講義ノートを配布する予定
【関連科目・履修の条件等】
半導体物理，電磁気学，電子回路の基礎知識 ．
【成績評価】
レポートまたは期末試験
【担当教員からの一言】
既存デバイスの基本原理を理解するとともに，高性能化への指針を見いだす基礎学力を身につけてください．