講 義 名 機能材料・デバイス・プロセス特論 (Advanced Materials, Devices and Processing)
開講学期 前学期 単位数 2-0-0
担当教官
○ 石原　　宏 教　授 ： すずかけ台 フロンティア棟 701号室 （内線5148）

岩井　　洋 教　授 ： すずかけ台 G2棟 1015号室 （内線5471）

青柳　克信 教　授 ： すずかけ台 G2棟 1003号室 （内線5594）

浅田　雅洋 教　授 ： すずかけ台 G2棟 808号室 （内線5299）

益　　一哉 教　授 ： すずかけ台 R2棟 810号室 （内線5022）

筒井　一生 助教授 ： すずかけ台 G2棟 1009号室 （内線5462）

徳光　永輔 助教授 ： すずかけ台 R2棟 818号室 （内線5084）

渡辺　正裕 助教授 ： すずかけ台 G2棟 916号室 （内線5454）

大見　俊一郎 助教授 ： すずかけ台 G2棟 号室 （内線5481）

有本　由弘 客員教授 ：


杉井　信之 客員教授 ：

【講義の目的】
最先端の電子デバイスや集積回路に利用されているシリコン、化合物半導体、高・強誘電体、磁性材料などの機能性材料について基本物性や作製方法などについて論じる。さらに、最新の大規模集積回路や電子・光デバイス、量子効果デバイスを製作するための極微細加工技術について物理的基礎から将来展望までを講義する。
【講義計画】

    1.デバイス製作の微細加工プロセス　　　　　　　
    2.不揮発性メモリデバイス　　　　　　　　　　
    3.最先端MOSトランジスタおよびその集積化技術　
【教科書・参考書等】
必要に応じて資料を配布する予定
【関連科目・履修の条件等】
修士2年生対象。「機能電子デバイスI」、「同　II」のいずれかを履修済みであることを前提として進める。
【成績評価】
レポート提出
【担当教官からの一言】
各担当教官の専門分野に根ざした、より深い議論、最先端の現状技術と動向について講義するので、興味のある学生諸君は積極的な参加を。