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| 以前の情報 |
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| 研究概要 |
近年、高密度波長多重方式（WDM）に代表される大容量光通信において光源である半導体レーザには更なる高性能化が求められています。光通信における半導体レーザの役割としては低消費電力、高効率、高出力等が挙げられます。しかし、半導体レーザには外部変調の必要性、光ファイバへの容易な接続構造、長距離通信を可能にする波長単一モード動作化、低コスト実現のためのレーザ作製プロセスの簡単化など様々な問題があります。荒井研究室ではこれらの問題を解決し、低消費電力、広い温度領域における安定した動作など、さらなる半導体レーザの高性能化に向けて多方面からのアプローチを行っています。
本研究室では，光エレクトロニクス、特に半導体レーザにおける素子設計・材料・結晶成長・デバイス作製・評価などの多岐にわたる研究を，充実した最先端設備のもとで行っています。
・量子細線レーザ
・活性層分離型ＤＦＢレーザ
・活性領域と受動領域を集積した分布反射型(DR)レーザ
・垂直回折格子を用いた分布反射型（ＤＲ）レーザ
・半導体薄膜ＤＦＢレーザ |
| アクセス |
| 郵便番号 |
１５２−８５５２ |
| 住所 |
東京都目黒区大岡山２−１２−１
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
荒井研究室 |
| 電話番号 |
教員室（荒井教員室） |
TEL:03-5734-2512
e-mail:arai@pe.titech.ac.jp |
学生室
（荒井・古屋・宮本研学生室共通） |
03-5734-2555 |
| 研究施設 |
南9号館 |
荒井教員室 7階 704号室
荒井研学生室 7階 706・707号室
測定室 2階 201号室 |
超高速エレクトロニクス研究棟
研究棟映像 |
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