| 課題番号 | 支援申込者 | 申込課題 | 支援形態 |
|---|---|---|---|
| F東工H16-001 | エンプラス研究所 | Ｓｉ微細溝形成のためのドライエッチングプロセスの最適化 | 技術代行 |
| F東工H16-002 | 名古屋大学 | カーボンナノチューブ電子デバイスの作成と評価 | 共同研究 |
| F東工H16-003 | 日本電気 | ドライエッチ回折格子を有する高機能光集積デバイスの研究 | 技術代行 |
| F東工H16-004 | 東工大・理工・電子物理工学専攻・真島研 | 電子ビーム露光を用いた分子ナノデバイスの試作に関する研究 | 技術代行 |
| F東工H16-005 | 早稲田大学 | Siナノ細線における不純物拡散評価TEGの作成その1． | 技術代行 |
| F東工H16-006 | 松下電器産業 | GaN系青色LED用フォトニック結晶の作製 | 技術代行 |
| F東工H16-007 | 東工大・理工・物性物理学専攻・吉野研 | 磁性半導体TMR構造におけるスピン注入効果に関する研究I − ナノメータスケール埋込メサ型 TMR 素子の作製− | 技術代行 |
| F東工H16-008 | ナノジオメトリ研究所 | 自動非点収差補正用基準パターンの評価 | 技術代行 |
| F東工H16-009 | 東京応化工業株式会社 | 低分子アモルファス電子線レジストのラインエッジラフネス | 技術代行 |
| F東工H16-010 | リコー生産技術研究所 | 電子ビームによる微細グルーブパターン形成 | 技術代行 |
| F東工H16-011 | 三菱ガス化学 | 多環芳香環を有する分子性レジストの開発（1） | 技術代行 |
| F東工H16-012 | エンプラス研究所 | Ｓｉ微細溝形成のためEBリソグラフィーのドーズ量の最適化 | 技術代行 |
| F東工H16-013 | 慶応義塾大学 | サブ波長構造の有効屈折率の検討 | 技術代行 |
| F東工H16-014 | 東京応化工業株式会社 | 低分子アモルファス電子線レジストにおける酸発生剤種のラインエッジラフネスへの影響−1 | 技術代行 |
| F東工H16-015 | リコー生産技術研究所 | 電子ビームによる微細グルーブ形成におけるデフォーカスの影響I | 技術代行 |
| F東工H16-016 | 東海大学・開発工学部・後藤研 | SiO2による金属薄膜上20nm〜30nm超微細開口作製の研究 | 共同研究 |
| F東工H16-017 | 科学技術振興機構SORSTﾌｫﾄﾆｸｽﾁｰﾑ | 非断熱光化学反応を利用したフォトリソグラフィ | 技術代行 |
| F東工H16-018 | リコー生産技術研究所 | ネガ型電子ビームレジストNEB22による微細グルーブ形成 | 技術代行 |
| F東工H16-019 | 三菱ガス化学 | 多環芳香環を有する分子性レジストの開発（2） | 技術代行 |
| F東工H16-020 | 東海大学・開発工学部・後藤研 | Tiリフトオフによる金属薄膜上20nm〜30nm超微細開口作製の研究 | 共同研究 |
| F東工H16-021 | エンプラス研究所 | サブ波長以下のＳｉ微細溝形成のためのリフトオフプロセスの開発 | 技術代行 |
| F東工H16-022 | 慶応義塾大学 | 石英サブ波長ホール構造の作成方法の検討 | 技術代行 |
| F東工H16-023 | 群馬大学・電気電子工学科・大畠昭子 | 単一電子効果を用いたデジタルイメージセンサ | 共同研究 |
| F東工H16-024 | 東京応化工業株式会社 | 低分子アモルファス電子線レジストにおける酸発生剤種のラインエッジラフネスへの影響−2 | 技術代行 |
| F東工H16-025 | リコー生産技術研究所 | ネガ型電子ビームレジストによる微細グルーブ形成におけるデフォーカスの影響 | 技術代行 |
| F東工H16-026 | 東工大・理工・物性物理学専攻・山本研 | 表面プラズモン発光用表面微細構造の作製 | 技術代行 |
| F東工H16-027 | 台湾交通大 | 弱い現像液を用いた微細パターンの形成 | 共同研究 |
| F東工H16-028 | LEEPL | 電子線転写装置用極微細ステンシルマスクの開発1- 35 nm 極微細レジストパターン形成 - | 技術代行 |
| F東工H16-029 | 早稲田大学 | Siナノ細線における不純物拡散評価-TEGの作成その2 | 技術代行 |
| F東工H16-030 | 東工大・理工・物性物理学専攻・吉野研 | 磁性半導体TMR構造におけるスピン注入効果に関する研究II− ナノメータスケール埋込メサ型TMR 素子における電流リーク機構の解明− | 技術代行 |
| F東工H16-031 | 東京応化工業株式会社 | 種々の低分子アモルファス電子線レジストのラフネス特性比較−1 | 技術代行 |
| F東工H16-032 | リコー生産技術研究所 | ナノパターンドメディア用パターンの形成 | 技術代行 |
| F東工H16-033 | 三菱ガス化学 | 多環芳香環を有する分子性レジストの開発（3） | 技術代行 |
| F東工H16-034 | 東海大学・開発工学部・後藤研 | 近接場光ヘッド用GaP結晶表面への超微細ｸﾞレーティング加工実験 | 共同研究 |
| F東工H16-035 | エンプラス研究所 | Ｓｉ微細溝形成のためのＥＢリソグラフィ−プロセスの最適化 | 技術代行 |
| F東工H16-036 | 東工大・理工・化学・高井和之 | 電子ビーム露光によるグラファイト微細パターンの作成 | 技術代行 |
| F東工H16-037 | 科学技術振興機構SORSTﾌｫﾄﾆｸｽﾁｰﾑ | 非断熱近接場フォトリソグラフィの高速化 | 技術代行 |
| F東工H16-038 | 慶応義塾大学 | 石英サブ波長構造を用いた多値位相ホログラム | 技術代行 |
| F東工H16-039 | リコー生産技術研究所 | ナノパターン度メディア用深溝パターンの形成 | 技術代行 |
| F東工H16-040 | エンプラス研究所 | サブ波長以下の周期を有するＳｉ回折格子 の作成条件最適化 | 技術代行 |
| F東工H16-041 | LEEPL | 電子線転写装置用極微細 ステンシルマスクの開発2 - ステンシルマスク作製プロセス開発- | 技術代行 |
| F東工H16-042 | 慶応義塾大学 | 偏光分離サブ波長構造の検討 | 技術代行 |
| F東工H16-043 | 早稲田大学 | Siナノ細線における不純物拡散評価< TEGの作成と評価 その3 | 技術代行 |
| F東工H16-044 | 東工大・理工・物性物理学専攻・吉野研 | 磁性半導体TMR構造におけるスピン注入効果に関する研究III − ナノメータスケール埋込メサ型 TMR 素子作製プロセスの検討− | 技術代行 |
| F東工H16-045 | 東京応化工業株式会社 | 種々の低分子アモルファス電子線レジストのラフネス特性比較−2 | 技術代行 |
| F東工H16-046 | リコー生産技術研究所 | 電子ビームによる微細グルーブ形成におけるデフォーカスの影響II | 技術代行 |
| F東工H16-047 | NTT | 電子ビーム描画による微細InP HBTの研究 | 共同研究 |
| F東工H16-048 | 三菱ガス化学 | 多環芳香環を有する分子性レジストの開発（4） | 技術代行 |
| F東工H16-049 | 台湾交通大 | 弱い現像によるHEMT用微細金属パターンの形成 | 共同研究 |
| F東工H16-050 | PDサービス | 電界による集束効果を利用した電子ビーム露光用のマスク製作 | 技術代行 |