| 課題番号 | 支援申込者 | 申込課題 | 支援形態 |
|---|---|---|---|
| F東工H18-001 | 上智大学 | Alナノパターン上GaNナノコラムのRF-MBE成長 | 技術代行 |
| F東工H18-002 | 昭和電工 | 化学増幅型ポジ型レジストを用いたチャージアップ防止剤の評価条件の検討 | 技術代行 |
| F東工H18-003 | 電波高専 | THz 帯InP ショットキーバリアダイオードの開発 | 共同研究 |
| F東工H18-004 | 名古屋工業大学 | エピタキシャル成長を利用したコロイド単結晶の創製 その４．金コート基板による単結晶 | 技術代行 |
| F東工H18-005 | 三菱ガス化学 | 多環芳香環を有する分子性レジストの開発(6) | 技術代行 |
| F東工H18-006 | 台湾交通大 | 高利得､低ノイズ増幅器用InAlAs/InGaAsメタモルフィックHEMT | 共同研究 |
| F東工H18-007 | 東工大・理工・物性物理学専攻・吉野研 | 磁性半導体二重障壁MTJ構造の磁化反転過程の解明 | 共同研究 |
| F東工H18-008 | 富士通 | ＥＢ描画とリアクティブイオンエッチングを併用したナノ構造体作成技術の開発 | 技術代行 |
| F東工H18-009 | 東工大・理工・物性物理学専攻・山本研 | 1次元プラズモニック結晶のバンドギャップ | 技術代行 |
| F東工H18-010 | 慶應義塾大学 | 偏光分離サブ波長構造素子の設計と試作 | 技術代行 |
| F東工H18-011 | 東工大・理工・化学専攻・榎研 | リソグラフィー手法を利用したグラファイト微細構造の作成 | 技術代行 |
| F東工H18-012 | 東工大・理工・電子物理工学専攻・真島研 | 電子ビーム露光を用いた分子ナノデバイスの試作に関する研究 | 技術代行 |
| F東工H18-013 | 昭和電工 | 化学増幅型ポジ型レジストを用いたチャージアップ防止剤の評価 | 技術代行 |
| F東工H18-014 | 電波高専 | THz 帯プレーナ形InP ショットキーバリアダイオードによる共鳴トンネルダイオード発振器の出力検出 | 共同研究 |
| F東工H18-015 | 名古屋工業大学 | エピタキシャル成長を利用したコロイド単結晶の創製 その５．金コート基板による結晶配向 | 技術代行 |
| F東工H18-016 | 三菱ガス化学 | 多環芳香環を有する分子性レジストの開発(7) | 技術代行 |
| F東工H18-017 | 台湾交通大 | InAlAs層上Ti/Pt/Cuショットキーコンタクトの信頼性試験 | 共同研究 |
| F東工H18-018 | 上智大学 | Alナノパターン上GaNナノコラムの成長温度依存性 | 技術代行 |
| F東工H18-019 | 昭和電工 | 化学増幅型ポジ型レジストに対するチャージアップ防止剤の添加剤の影響 | 技術代行 |
| F東工H18-020 | 富士通 | ナノ構造体アレイ作成技術の開発 | 技術代行 |
| F東工H18-021 | NGR | 65nm-32nm E-beam直描微細レジストパターン | 技術代行 |
| F東工H18-022 | 東工大・理工・物性物理学専攻・吉野研 | 埋め込みメサ型GaMnAsベースMTJ構造形成プロセスの検討 | 共同研究 |
| F東工H18-023 | 住友電工 | 電子ビーム露光法による微細な回折格子構造の形成 | 共同研究 |
| F東工H18-024 | 台湾交通大 | 高出力,高周波動作用HEMTの製作 | 共同研究 |
| F東工H18-025 | 昭和電工 | 化学増幅型ネガ型レジストを用いたチャージアップ防止剤の評価条件の検討 | 技術代行 |
| F東工H18-026 | 住友電工 | CH4/H2 ガスを用いた回折格子ドライエッチングにおけるローディング効果の検討 | 共同研究 |
| F東工H18-027 | 電波高専 | GaAs ショットキーバリアダイオードによるプレーナー形THz 検出器の作製プロセスの検討 | 共同研究 |
| F東工H18-028 | 名古屋大学 | 制御されたナノ微粒子形成のための微細レジストパターニング | 共同研究 |
| F東工H18-029 | 日本ミニコン | 可視光マクロ検査技術による微細立体形状パターン群の形状変化の検出能力評価1〜鏡面反射光検出技術の性能の評価〜 | 技術代行 |
| F東工H18-030 | 富士通 | ナノ構造体表面の光学特性評価 | 技術代行 |
| F東工H18-031 | ＳＣＩＶＡＸ | 極微細30nmドット描画条件出し | 技術代行 |
| F東工H18-032 | 台湾交通大 | 低電圧、高速動作用InAs-HEMTの製作 | 共同研究 |
| F東工H18-033 | 東工大・理工・物性物理学専攻・吉野研 | GaMnAsベース単一障壁MTJ構造における電流注入磁化反転のフリー層厚依存性 | 共同研究 |
| F東工H18-034 | 上智大学 | Alナノパターン上GaNナノコラムの光学特性評価 | 技術代行 |
| F東工H18-035 | 昭和電工 | 化学増幅型ネガ型レジストを用いたチャージアップ防止剤の評価 | 技術代行 |
| F東工H18-036 | 住友電工 | 1.5 _m 波長帯GaInAsP/InP 活性層分離型DFB レーザの作製 | 共同研究 |
| F東工H18-037 | ＮＧＲ | 65nm-32nm E-beam 直描微細レジストパターンのDie to Database 検査の検討 | 技術代行 |
| F東工H18-038 | 東工大・理工・物性物理学専攻・吉野研 | GaMnAsベース単一および二重障壁MTJ構造の電流注入磁化反転特性の比較 | 共同研究 |
| F東工H18-039 | 台湾交通大 | Ptベース埋め込みゲート技術を使った高性能InAsチャンネル HEMT | 共同研究 |
| F東工H18-040 | ＮＥＣ | VOA（光可変減衰器）を有する外部共振器型波長可変レーザの研究 | 共同研究 |
| F東工H18-041 | 東工大・理工・化学専攻・榎研 | グラファイト超薄膜の作製および端構造の制御 | 技術代行 |
| F東工H18-042 | 昭和電工 | 化学増幅型ネガ型レジストに対するチャージアップ防止剤の添加剤の影響 | 技術代行 |
| F東工H18-043 | 電波高専 | GaAs ショットキーバリアダイオードによるプレーナー形THz 検出器の作製と電流-電圧特性 | 共同研究 |
| F東工H18-044 | 南京大 | 一次元位相シフトグレーティングへのレーザ照射による一次元規則配置ナノクリスタルシリコンアレイ | 技術代行 |
| F東工H18-045 | 日本ミニコン | 可視光マクロ検査技術による微細立体形状パターン群の形状変化の検出能力評価２〜レジスト膜の残量に着目した検出性能の評価〜 | 技術代行 |
| F東工H18-046 | 台湾交通大 | Ge/GexSi1-xメタモルフィックバッファー層を使ったSi基板上HEMTの試作 | 共同研究 |
| F東工H18-047 | 東工大・理工・物性物理学専攻・吉野研 | GaMnAsベース磁性半導体二重障壁MTJ構造の形状異方性と軸構造制御 | 共同研究 |
| F東工H18-048 | ＳＣＩＶＡＸ | ナノインプリント用極微細30nmドットNi電鋳型の作成 | 技術代行 |
| F東工H18-049 | 名古屋大学 | 制御された金属ナノ微粒子形成のための微細レジストドットのトリミング | 共同研究 |
| F東工H18-050 | 昭和電工 | 非化学増幅型レジストを用いたチャージアップ防止剤の評価条件の検討 | 技術代行 |
| F東工H18-051 | 住友電工 | 1.5 _m 波長帯GaInAsP/InP 活性層分離型DFB レーザの特性評価 | 共同研究 |
| F東工H18-052 | 富士通 | ナノ形状転写技術の開発 | 技術代行 |