太陽電池の本格的な実用化に向けての動きが活発になってきている。今後さらに低コスト化が図れた太陽光発電が地 球環境問題を打開する新エネルギーとして一役を担うと期待されている。まずは太陽電池の総生産量の大半を占めて いる多結晶Si太陽電池が先導役を担っていくであろうが、そのためにさらに高効率化と低コスト化を達成しなければ ならない。高効率化には多くて手法があり多種にわたる研究が行われている。特にパッシベーション技術は今後の薄 型化に向けても非常に重要な技術として位置づけられている。現在、Si太陽電池のパッシベーション膜兼反射防止膜 として主としてSiN:H薄膜が使われている。SiN:H薄膜の作製法として一般にはSiH4とNH3を用いるプラズマCVD法が利 用されている。しかし、SiH4が爆発しやすく毒性を持つため、より安全な材料を用いた作成法が望まれている。本研 究は、安全で安価なヘキサメチルシジラザン(HMDS)を用いたホットワイヤーCVD法によるa-SiCN:H薄膜に着目して、 Si太陽電池のパッシベーション膜への応用を検討した。電気的・光学的特性およびパッシベーション効果の評価結果 により、a-SiCN:H薄膜はパッシベーション膜および反射防止膜としてSi太陽電池への応用が期待できることが分かっ た。現時点ではa-SiCN:H薄膜をパッシベーション膜に用いたキャスト多結晶Siセル(2 cm x 2 cm)で変換効率14.9%と いう良好な結果が得られた。本輪講では、これまでの評価結果について発表する。