Tokyo Institute of TechnologyMasahiro WATANABE Lab.

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ごあいさつ
Masahiro WATANABE
情報処理・通信、エネルギー変換・制御など、現代社会を支える基盤技術の根幹に 半導体デバイスおよび集積回路工学の技術体系があります。 　本研究室では、これまでの歴史の中で先人によって培われてきた半導体デバイス工学の 体系的知識とノウハウを学び、その限界を超える性能を実現し、あるいは、新しい機能を 獲得するためのデバイス原理・構造、材料・プロセス技術等を創出することを志向した 研究を行っています。

近年、特に注目して研究してきたテーマとして下記の項目が挙げられます。

  • 高速動作･高集積密度・低消費電力など集積回路を構成するデバイスに課される 要請を物理限界まで追求可能なデバイス原理と材料構成、プロセス技術を見出す こと

  • 先人の長年の技術的蓄積と社会的技術基盤として定着しているシリコン集積回路技術と 親和性の高い光デバイス技術、特にシリコン材料を用いた発光デバイスの原理･構造を 見出すこと

  • 太陽電池のエネルギー変換効率の原理的な限界要因のひとつである、半導体内部での 熱エネルギーへの散逸を緩和するために必要な物質構造とその作製手法を 探索し、その原理･プロセスを太陽電池に適用する方法を見出すこと


    これらの研究課題に対して、鍵となる共通のシーズ技術として、 「異種材料（金属･絶縁体･半導体）を原子レベルでの接合を意識したナノメートル寸法で 制御された構造」を抽出し、その中での電子輸送や光−電子相互作用に関する知見を深め、 極限性能を追求可能なデバイス原理･構造を明らかにするための研究を行っていきます。