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量子ナノエレクトロニクス研究センターには、結晶成長装置、 デバイス評価装置等の最先端設備が設置されています。下記に、本センターのグループにより常時使用されている装置 の一部を紹介いたします。本センターはこれ以外に、走査型トンネル顕微鏡、原子間力顕微鏡を始め、材料及びデバイスの 表面構造等を評価するための装置を有しています。
有機金属気相成長装置 高品質半導体及び量子構造を作製するための
有機金属気相成長装置です。
高品質な半導体-金属接触を形成するための
超高真空6源電子ビーム蒸着装置です。
超高真空6源電子ビーム蒸着装置
超高真空クラスタ・イオンビーム成長装置 金属-絶縁体-半導体構造を作製するための
超高真空クラスタ・イオンビーム成長装置です。
原子層MOCVD装置:その場でのエリプソ分光が可能であり、
極薄 膜の酸化物を形成することが可能です。
原子層MOCVD装置
III-V族化合物半導体形成用分子線エピタキシー装置 III-V族化合物半導体形成用分子線エピタキシー装置です。
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