School of Engineering,
Department of Electrical and Electronics Engineering, Tokyo Institute of Technology Watanabe Lab.

渡辺研究室 / 東京工業大学 工学院 電気電子系

※2022年以降

論文

Gensai Tei, Long Liu, Masahiro Watanabe. Design and analysis of Si/CaF2 near-infrared (λ~1.7 μm) DFB quantum cascade laser for silicon photonics, IEICE Transactions on Electronics, IEICE, Vol. E106-C, No. 5, May 2023.
Long Liu, Gensai Tei, Masahiro Watanabe. Design, fabrication, and evaluation of waveguide structure using Si/CaF2 heterostructure for near- and mid- infrared silicon photonics, IEICE Transactions on Electronics, Vol. E106-C, No. 1, Jan. 2023.

国内会議

星野 麻衣子, 伊藤 滉悟, 鈴木 優輔, 宇佐見 遼也, 村上 寛太, 鄭 源宰, 渡辺 正裕. Si/CaF2 四重障壁共鳴トンネル構造を用いた抵抗変化メモリ素子の室温スイッチング特性, 第70回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2023.
鄭 源宰, 劉 龍, 齊藤 雅高, 松浦 耕洋, 杉山 裕汰, 渡辺 正裕. Si/CaF2ヘテロ構造を用いた波長1.6 µm帯量子カスケードレーザの理論解析, 第83回応用物理学会学術講演会, 03-477, Sept. 2022.
伊藤 滉悟, 鈴木 優輔, 星野 麻衣子, 宇佐見 遼也, 村上 寛太, 渡辺正裕. CaF2埋め込み構造によるSi/CaF2 p型共鳴トンネルダイオード のリーク電流低減, 第83回応用物理学会学術講演会, 12-253, Sept. 2022.
鈴木 優輔, 伊藤 滉悟, 齊藤 雅高, 星野 麻衣子, 宇佐見 遼也, 村上 寛太, 渡辺 正裕. サーファクタントエピタキシー法により形成した Si/CaF2二重障壁共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性, 第83回応用物理学会学術講演会, 12-254, Sept. 2022.
菅原 大暉, 劉 龍, 鄭 源宰, 小柳 陽平, 北村 研太, 渡辺 正裕. p型単一障壁トンネルダイオード及び2重障壁共鳴トンネルダイオードを用いたSi/CaF2界面における価電子帯障壁高さ(∆Ev)の評価, 第69回応用物理学会春季学術講演会, 第69回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 (青山学院大学 相模原キャンパス & オンライン), p. 12-046, Mar. 2022.
齊藤雅高, 鄭 源宰, 劉 龍, 小柳 陽平, 菅原 大暉, 渡辺 正裕. CaF2上に成膜したSi薄膜の表面平坦性に対するAs照射効果, 第69回応用物理学会春季学術講演会, 第69回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 (青山学院大学 相模原キャンパス & オンライン), p. 12-202, Mar. 2022.
北村 研太, 鄭 源宰, 劉 龍, 小柳 陽平, 菅原 大暉, 渡辺 正裕. Si/CaF2ヘテロ構造を用いた分布帰還型導波路の設計とグレーティング構造形成プロセス, 第82回応用物理学会学術講演会, 第82回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集 (2021 ハイブリッド開催(名城大学 天白キャンパス & オンライン)), p. 12-309, 2022.

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