すずかけ台キャンパス
超高真空中イオンビーム薄膜結晶成長装置(MBE)
MBE(分子線エピタキシャル)装置。
セル加熱により弗化カルシウム、弗化カドミウムを、E-gun加熱によりシリコン、コバルトを堆積することができます。
内蔵されたイオン化加速ユニットは、弗化カルシウムを電子照射によりイオン化する機構で、シリコン表面の被服率を大きく改善し、さらに電圧印加による加速が可能となります。
電子ビーム露光装置(EB描画装置)
基板上に塗布した電子線レジストに対して、PC上で作成した任意パターンを電子ビームにより露光するためのリソグラフィー装置です。
電子銃から発せられた電子線を電子レンズやアパーチャー、デフレクタなどを通し、X-Y-Zステージを微細に制御しながらマスクブランクスへ照射して目的のパターンを露光することができます。
μm～nmオーダーのパターンの微細加工が可能で、SEM観察の機能も搭載しています。
原子間力顕微鏡(AFM)
大気中において原子層レベルの縦方向分解能を持っています。この装置を用いて表面状態を観察し、その制御を目指しています。
AFMによるナノ構造観察像
Si表面原子ステップ :
Si表面の段差です。一つの段差が約0.31nmとなっています。
ナノエリアローカルエピタキシー:
EB露光によって作製した微小孔です。
フォトリソグラフィー用マスクアライナ(カールズース社製)
光によるリソグラフィを行う装置です。
1cm2の小片から直径3インチ角、厚さ300um～1mmの基板までのサンプルにフォトレジストを露光するために使用します。
RTA装置
赤外線ランプ加熱装置(RTA)です。
高速加熱･冷却､クリーン加熱が行なえる、温度コントロｰラと雰囲気可変チャンバが一体化した赤外線ランプ加熱装置です。
強誘電体薄膜の結晶アニールや、イオン注入後の拡散アニール、酸化膜生成アニールに用いることができます。